近日，河南省科学技术厅、河南省科学院联合下发了关于2022年度第二批省级科技研发计划联合基金项目立项的通知，我校电子信息学院青年博士孙树祥主持申报的 “中子辐照下InAlAs/InGaAs异质结构电学缺陷的演化机制及模型研究” 获批青年科学家项目。这是我校首次获批省科技计划青年科学家项目，是学校自主培养青年后备人才队伍的又一突破。

高速数据传输、高精度探测等技术在航空航天领域有着巨大的需求，其核心器件研发、国产化对国家经济建设和国防安全具有重大意义。以InAlAs/InGaAs异质结为核心的InP基HEMT具有频率高、噪声低、功耗低及增益高等特点，是实现毫米波芯片、亚毫米波芯片乃至太赫兹集成电路的极佳选择，在卫星雷达、深空探测、天文观测等航天领域高频信号接收系统具有广阔的应用前景。开展InP基HEMT及相关集成电路芯片在空间辐射环境下长时间应用的稳定性、可靠性的研究，对推进器件、集成电路的空间应用具有重要意义。

本项目面向空间复杂环境下高频器件/集成电路应用可靠性研究需求，围绕器件核心结构InAlAs/InGaAs异质结构中子辐照损伤机制、辐照模型及器件辐照加固技术等方面开展研究。项目研究成果可揭示中子辐照影响InAlAs/InGaAs异质结构电学特性的机制，并为InP基HEMT器件和集成电路抗中子辐照结构设计提供理论支持。

项目负责人孙树祥是我校2020年引进的博士，主要从事高频和功率半导体器件设计及可靠性研究，在《Materials Science in Semiconductor Processing》《Journal of Physics D Applied Physics》《Chinese Physics B》等国际著名期刊发表多篇论文。项目骨干成员来自电子信息学院和河南省智慧照明重点实验室，该团队主要从事半导体器件设计及可靠性研究，先后主持国家自然科学基金青年基金、河南省科技攻关、河南省高等学校重点科研项目等10余项。在学校、学院的持续支持下，项目团队潜心科研、矢志创新，最终在此次科研项目申报上取得了新突破。

近年来，学校聚焦“新工科”，关注优势学科领域热点和社会需求，开展有组织的科研，通过政策引导、配套措施，在人才培养、平台建设、科学研究方面整体谋划、系统推进，促进了学科提质进位。

（撰稿：方前程    责任审核：姚汝贤）